在物理研究所的先进材料与结构分析实验室，陈小龙和同事们正在对刚刚生长出来的碳化硅晶体进行分析研究。与传统的气相法不同，这个4英寸的碳化硅晶体采用的是最新的液相法生长而成。

中科院物理研究所研究员 陈小龙：它的优点就是生长温度是比较低的，比如说在1700~1800摄氏度左右，那么生长出来的晶体没有微管这种大的缺陷，位错密度也相对比较低一些。最重要的一个好处就是它生长出来的晶体良率比较高，就相当于变相地降低了每一片的成本。

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相比同类硅基器件而言，碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、光伏、轨道交通、5G通信等领域具有重要的应用价值。多年来，陈小龙带领团队立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术，实现了整套技术路线的自主可控。通过多年不懈攻关，科研团队通过气相法将碳化硅晶体直径从小于10毫米不断增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸。

中国科学院物理研究所研究员 陈小龙：在2022年上半年，我们实验室取得了8英寸碳化硅生长的突破，但是质量还是不够高，还不能满足器件对它的需求。从6寸把它发展到8寸，这样在衬底上做出来的器件，就可以降低单个器件的衬底所占的成本，这是一个国际上发展的趋势。

深耕碳化硅晶体生长，陈小龙团队取得的成果带动国内20多家外延、器件和模块相关企业的成立和发展，形成碳化硅完整产业链，实现了我国宽禁带半导体产业的自主可控。从事碳化硅晶片研发生产的北京天科合达，就源于物理研究所先进材料与结构分析实验室的关键核心技术转化，目前已发展为国内最大、国际第四的导电碳化硅衬底供应商。春节期间，车间高温炉子里正在生长的，就是已经实现大规模生产的6英寸碳化硅晶体。

北京天科合达半导体股份有限公司总经理 杨建：我们也接到了国内外6英寸大量的订单和8英寸的小批量的订单，这也是需要我们去完成的工作。8英寸的质量不能比6英寸的质量低，这也是客户给我们提出来的一个明确的要求，所有的生产设备需要7×24小时开着，我们春节期间也不会停工和停产，一直会在工作。

目前，北京天科合达已向国内80多家企业及科研机构批量供应晶片，并大量出口至欧美和日本等20多个国家和地区。瞄准8英寸碳化硅下游市场，公司已投入大量研发经费，力争在2023年实现8英寸碳化硅晶片小批量生产和供应。

北京天科合达半导体股份有限公司总经理 杨建：在新的一年里，我们会继续加大我们的研发投入，希望能够在今年8英寸能够实现批量化生产。

中国科学院物理研究所研究员 陈小龙：2023年希望我和我的团队把碳化硅的晶体缺陷做得更低，在质量上有进一步的突破。

中国地理信息产业协会副会长 中科星图总裁 邵宗有：新的一年，希望我们的数字地球能够更多服务于老百姓的生产和生活。

中科院院士 中科院空天信息创新研究院院长 吴一戎：我们希望有更高分辨率、更高精度的对地观测系统上天，服务于国家的发展。

（总台央视记者 帅俊全 褚尔嘉 韩文旸）